Elementna baza polprevodniških elementov nenehno raste. Vsak nov izum na tem področju pravzaprav spremeni celotno idejo o elektronskih sistemih. Zmožnosti načrtovanja vezij se spreminjajo, pojavljajo se nove naprave, ki temeljijo na njih. Od izuma prvega tranzistorja (1948) je minilo veliko časa. Izumljeni sta bili strukturi "p-n-p" in "n-p-n", bipolarni tranzistorji. Sčasoma se je pojavil tudi MIS tranzistor, ki deluje na principu spreminjanja električne prevodnosti blizu površinskega polprevodniškega sloja pod delovanjem električnega polja. Zato je drugo ime za ta element polje.
Sama okrajšava MIS (kovina-dielektrik-polprevodnik) označuje notranjo strukturo te naprave. Dejansko so njegova vrata izolirana od odtoka in vira s tanko neprevodno plastjo. Sodobni MIS tranzistor ima dolžino vrat 0,6 µm. Skozi njo lahko prehaja samo elektromagnetno polje - to vpliva na električno stanje polprevodnika.
Oglejmo si, kako deluje FET in ugotovimo, kakšna je njegova glavna razlika odbipolarni "brat". Ko se pojavi zahtevani potencial, se na njegovih vratih pojavi elektromagnetno polje. Vpliva na upor spoja odtok-izvor. Tukaj je nekaj prednosti uporabe te naprave.
- V odprtem stanju je prehodni upor odvod-vir zelo majhen in MIS tranzistor se uspešno uporablja kot elektronski ključ. Na primer, lahko poganja operacijski ojačevalnik z ranžiranjem bremena ali sodeluje v logičnih vezjih.
- Omembe vredna je tudi visoka vhodna impedanca naprave. Ta parameter je zelo pomemben pri delu v nizkotokovnih tokokrogih.
- Nizka kapacitivnost spoja drain-source omogoča uporabo tranzistorja MIS v visokofrekvenčnih napravah. Med postopkom ni popačenja pri prenosu signala.
- Razvoj novih tehnologij v proizvodnji elementov je pripeljal do nastanka IGBT tranzistorjev, ki združujejo pozitivne lastnosti poljskih in bipolarnih elementov. Napajalni moduli, ki temeljijo na njih, se pogosto uporabljajo v mehkih zaganjalnikih in frekvenčnih pretvornikih.
Pri načrtovanju in delu s temi elementi je treba upoštevati, da so MIS tranzistorji zelo občutljivi na prenapetost v vezju in statično elektriko. To pomeni, da lahko naprava odpove, ko se dotaknete nadzornih sponk. Pri nameščanju ali demontaži uporabite posebno ozemljitev.
Možnosti uporabe te naprave so zelo dobre. Zahvale gredozaradi svojih edinstvenih lastnosti je našel široko uporabo v različni elektronski opremi. Inovativni trend v sodobni elektroniki je uporaba močnostnih IGBT modulov za delovanje v različnih vezjih, vključno z indukcijskimi vezji.
Tehnologija njihove proizvodnje se nenehno izboljšuje. V teku je razvoj za povečanje (zmanjšanje) dolžine zaklopa. To bo izboljšalo že tako dobro delovanje naprave.
